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DMG563H40R

  • 制造商:-
  • 数据列表:DMG563H4 View All Specifications
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列:-
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.09247
  • 6000$0.08733
  • 12000$0.07962
  • 27000$0.07449
  • 51000$0.06678
产品属性
描述TRANS ARRAY NPN/PNP W/RES SMINI5晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k,510电阻器 - 发射极 (R2)(欧)10k,5.1k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)35 @ 5mA,10V / 20 @ 5mA,10VIb、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 500?A,10mA
电流 - 集电极截止(最大)500nA频率 - 转换-
功率 - 最大150mW安装类型表面贴装
封装/外壳5-SMD,扁平引线供应商设备封装SMini5-F3-B
包装带卷 (TR)其它名称DMG563H40R-NDDMG563H40RTR

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