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DMG5802LFX-7

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.155
  • 6000$0.145
  • 15000$0.135
  • 30000$0.128
  • 75000$0.125
产品属性
描述MOSFET N-CH DUAL 24V DFN5020-6FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)24V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15 毫欧 @ 6.5A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs31.3nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1066.4pF @ 15V
功率 - 最大980mW安装类型表面贴装
封装/外壳6-VFDFN 裸露焊盘供应商设备封装6-DFN5020(5x2)
包装带卷 (TR)其它名称DMG5802LFX-7DITR

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