| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 23 毫欧 @ 6.5A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 950mV @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 8.8nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 143pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 920mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-UDFN 裸露焊盘 | 供应商设备封装 | 8-DFN3030（3x3） |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | DMG8601UFG-7DITR |
