描述 | MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 24 毫欧 @ 8.2A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 900mV @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 8.8nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 867pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1.3W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SOP |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | DMG9926USD-13DITR |