| 描述 | MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN5045 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 4 N 沟道（半桥） | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 33 毫欧 @ 6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 11.9nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 683pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 900mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 12-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | V-DFN5045-12（C 类） |
