描述 | General Purpose Transistor SOT36 | 晶体管类型 | - |
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电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 200mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V |
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 5mA,50mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 50nA |
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,1V | 功率 - 最大值 | 200mW |
频率 - 跃迁 | 300MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | SOT-363 |