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  • DMMT5551S-7

DMMT5551S-7

  • 制造商:Diodes Inc.(Diodes Inc.,Diodes Inc.)
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:160 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
描述Transistors Bipolar (BJT) NPN BIPOLAR最大直流电集电极电流0.2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min80 at 1 mA at 5 V配置Dual
最大工作频率300 MHz最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-26
封装Reel最小工作温度- 55 C
功率耗散300 mW工厂包装数量3000

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