| 描述 | MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 12V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 10 毫欧 @ 9.7A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 800mV @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 50.6nC @ 8V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2425pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 690mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN | 供应商设备封装 | * |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | DMN1019UFDE-7DITR |
