| 描述 | MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-26 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 540mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 550 毫欧 @ 540mA，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 150pF @ 16V |
| 功率 - 最大 | 225mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 | 供应商设备封装 | SOT-26 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | DMN2004DMKDITR |
