| 描述 | MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.5 欧姆 @ 10mA，4V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 900mV @ 100?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 41pF @ 3V |
| 功率 - 最大 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN | 供应商设备封装 | 3-DFN1006H4（1.0x0.6） |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | DMN2005LP4KDITR |
