| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N 沟道（双）共漏 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 24V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7 毫欧 @ 5.5A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 33.2nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2665pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 700mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | U-DFN2535-6 |
