| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 18.5 毫欧 @ 7A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 950mV @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 8.8nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 143pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 780mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-TSSOP |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | DMN2019UTS-13DITR |
