| 描述 | MOSFET N CH 20V X1-DFN1006-3 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 760mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 990 毫欧 @ 100mA，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 0.93nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 27.6pF @ 16V |
| 功率 - 最大 | 900mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN | 供应商设备封装 | 3-X1DFN1006 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | DMN21D2UFB-7BDITR |
