描述 | MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.21A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 200 毫欧 @ 900mA,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 950mV @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 2nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 67.62pF @ 25V |
功率 - 最大 | 470mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 3-UDFN | 供应商设备封装 | X1-DFN1212-3 |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | DMN2300UFD-7DITR |