| 描述 | MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 750mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 550 毫欧 @ 600mA，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 900mV @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 0.5nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 36pF @ 16V |
| 功率 - 最大 | 470mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN | 供应商设备封装 | 3-DFN1006（1.0x0.6） |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | DMN2400UFB4-7DITR |
