描述 | MOSFET N-CH 20V 230MA DFN | FET 特点 | 逻辑电平门 |
---|---|---|---|
漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 230mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 3 欧姆 @ 100mA,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.1V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 14.1pF @ 15V |
功率 - 最大 | 350mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 3-XFDFN | 供应商设备封装 | 3-DFN1006H4(1.0x0.6) |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | DMN26D0UFB4-7DITR |