| 描述 | MOSFET N-CHAN DUAL 200MW SOT-363 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 50V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 280mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3 欧姆 @ 200mA，2.7V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.2V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 供应商设备封装 | SOT-363 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | DMN5L06DWDITR |
