描述 | MOSFET N-CH DUAL SOT-563 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
---|---|---|---|
漏极至源极电压(Vdss) | 50V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 280mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 3 欧姆 @ 200mA,2.7V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.2V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V |
功率 - 最大 | 150mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 | 供应商设备封装 | SOT-563 |
包装 | 带卷 (TR) |