| 描述 | MOSFET N-CH DL 60V 200MW SOT-363 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 305mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 2 欧姆 @ 500mA，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 供应商设备封装 | SOT-363 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | DMN601DWK-7-FDMN601DWK-FDITRDMN601DWK-FDITR-NDDMN601DWK-FTRDMN601DWK-FTR-NDDMN601DWKDITR |
