描述 | MOSF N CH 60V 5.3A U DFN2020-6E | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 38 毫欧 @ 4.3A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 22.4nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1287pF @ 25V |
功率 - 最大 | 660mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-UDFN | 供应商设备封装 | * |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | DMN6040SFDE-7DITR |