| 描述 | MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 100mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 2 欧姆 @ 100mA，4V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 0.45nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 32pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 470mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-UFDFN | 供应商设备封装 | 3-X1DFN1006 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | DMN62D0LFB-7BDITR |
