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  • DMN63D1LDW-13

DMN63D1LDW-13

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  • 价格:停产
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
产品属性
描述MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363技术MOSFET(金属氧化物)
配置2 N-通道(双)FET 功能-
漏源电压(Vdss)60V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)250mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2 欧姆 @ 500mA,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)0.3nC @ 4.5V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)30pF @ 25V
功率 - 最大值310mW工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装SOT-363

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