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DMN65D8LDW-7

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.0625
  • 6000$0.05625
  • 15000$0.05
  • 30000$0.04688
  • 75000$0.04156
产品属性
描述MOSF N CH DUAL 60V 180MA SOT363FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C180mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 欧姆 @ 115mA,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs0.87nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds22pF @ 25V
功率 - 最大300mW安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商设备封装SOT-363
包装带卷 (TR)其它名称DMN65D8LDW-7DITR

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