| 描述 | MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.2A（Ta），32A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 20.1nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1143pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 1.5W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装，可润湿侧翼 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | PowerDI5060-8（R 类） |
