| 描述 | MOSF P CH 20V 770MA DFN1006H4-3 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 770mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 495 毫欧 @ 400mA，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 700mV @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 1.54nC @ 8V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 80pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 430mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN | 供应商设备封装 | 3-DFN1006H4（1.0x0.6） |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | DMP21D0UFB4-7BDITR |
