| 描述 | MOSFET P-CH 50V 200MA 3-DFN | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 50V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 6 欧姆 @ 100mA，4V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 29pF @ 4V |
| 功率 - 最大 | 425mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN | 供应商设备封装 | 3-DFN1006（1.0x0.6） |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | DMP57D5UFB-7-NDDMP57D5UFB-7DITR |
