描述 | MOSFET P-CH 12V 80A PWRDI5060-8 | FET 类型 | P 通道 |
---|---|---|---|
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 12 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 6 毫欧 @ 15A,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 124 nC @ 8 V | Vgs(最大值) | ±8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 6334 pF @ 10 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 3.2W | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerDI5060-8 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |