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DMR935E10R

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 20 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:- 3 V
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:100

参考价格

  • 数量单价
  • 6000¥0.80
  • 8000¥0.80
  • 10000¥0.745
产品属性
描述Transistors Bipolar (BJT) Composite Transistor封装 / 箱体SSMini6-F3-B
封装Reel集电极连续电流- 50 mA
功率耗散125 mW

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