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  • DRA2115G0L

DRA2115G0L

  • 制造商:-
  • 数据列表:DRA2115G View All Specifications
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列:-
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.07006
  • 6000$0.06305
  • 12000$0.05605
  • 27000$0.05255
  • 51000$0.04659
产品属性
描述TRANS PNP W/RES 50V 100MA MINI3晶体管类型PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧)100k电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 5mA,10VIb、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 500?A,10mA
电流 - 集电极截止(最大)500nA频率 - 转换-
功率 - 最大200mW安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商设备封装迷你型3-G3-B
包装带卷 (TR)其它名称DRA2115G0L-NDDRA2115G0LTR

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