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  • DRA3152Z0L

DRA3152Z0L

  • 制造商:-
  • 数据列表:DRA3152Z View All Specifications
  • 标准包装:10,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列:-
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 10000$0.07178
  • 30000$0.06715
  • 50000$0.0602
  • 100000$0.05905
产品属性
描述TRANS PNP W/RES 50V SSSMINI3晶体管类型PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧)510电阻器 - 发射极 (R2)(欧)5.1k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)20 @ 5mA,10VIb、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 500?A,10mA
电流 - 集电极截止(最大)500nA频率 - 转换-
功率 - 最大100mW安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-723供应商设备封装SSSMini3-F2-B
包装带卷 (TR)其它名称DRA3152Z0L-NDDRA3152Z0LTR

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