DS90LV031ATM

率可达1．5 gb／s。本文就差分对的端接、线长和间距等几个关键因素对lvds的高速传输进行探讨。 下面的仿真实例中，使用六层板，总厚度62.5 mil，差分微带线0.5 oz，线宽6 mil，线长12 in，间距6 mil，延迟1.755 ns，电源和地为l oz，电源平面和地平面分别离顶层和底层均为10 mil，介质为fr4，时钟频率200 mhz，并考虑边缘耦合，求得传输线特性阻抗91.6 ω，采用美国国家半导体的4路3 v差动式lvds线路驱动器ds90lv031atm和接收器ds90lv032atm，利用软件可得端接匹配电阻为124.5 ω。三种不同端接情况的差分信号有损传输的仿真结果如图2～图4所示(“△”为驱动端，“○”为接收端，图中只显示差分信号的其中一个，另一个与其极性相反)。 由仿真图中容易看出，端接匹配(124.5 ω)时性能良好，而在端接为传输线特性阻抗(91.6 ω)时，由于过阻尼所以表现为上升较缓，当端接这两倍传输线特性阻抗(183.2 ω)时，由于欠阻尼所以表现为过冲现象(包括上冲和下冲)。 这也证实了有些设计者在应用中要用一 ...

型及其电路设计，在极低的功耗下传输速率可达1．5 gb／s。本文就差分对的端接、线长和间距等几个关键因素对lvds的高速传输进行探讨。 下面的仿真实例中，使用六层板，总厚度62.5 mil，差分微带线0.5 oz，线宽6 mil，线长12 in，间距6 mil，延迟1.755 ns，电源和地为l oz，电源平面和地平面分别离顶层和底层均为10 mil，介质为fr4，时钟频率200 mhz，并考虑边缘耦合，求得传输线特性阻抗91.6 ω，采用美国国家半导体的4路3 v差动式lvds线路驱动器ds90lv031atm和接收器ds90lv032atm，利用软件可得端接匹配电阻为124.5 ω。三种不同端接情况的差分信号有损传输的仿真结果如图2～图4所示(“△”为驱动端，“○”为接收端，图中只显示差分信号的其中一个，另一个与其极性相反)。 由仿真图中容易看出，端接匹配(124.5 ω)时性能良好，而在端接为传输线特性阻抗(91.6 ω)时，由于过阻尼所以表现为上升较缓，当端接这两倍传输线特性阻抗(183.2 ω)时，由于欠阻尼所以表现为过冲现象(包括上冲和下冲)。 这也证实了有些设计者在应用 ...