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DSA9G01C0L

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 20 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:70

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥4.07
  • 25¥2.69
  • 100¥2.21
  • 250¥1.84
  • 500¥1.52
产品属性
描述Transistors Bipolar (BJT) Bipolar Power Transistor封装 / 箱体SSMini3-F3-B
封装Reel集电极连续电流- 30 mA
功率耗散125 mW

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