| 描述 | SS Low Sat Transistor X1-DFN1006 | 晶体管类型 | PNP |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500 mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 40 V |
| 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值） | 350mV @ 50mA，500mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA |
| 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 10mA，2V | 功率 - 最大值 | 400 mW |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 3-UFDFN |
| 供应商器件封装 | X1-DFN1006-3 |
