| 描述 | SS Low Sat Transistor U-DFN2020- | 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 1A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 60V |
| 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值） | 240mV @ 50mA，1A | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 290 @ 100mA，2V | 功率 - 最大值 | 405mW |
| 频率 - 跃迁 | 175MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | U-DFN2020-6（B 类） |
