描述 | DIODE SCHOTTKY 60V 8A TO277B | 技术 | 肖特基 |
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电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 60 V | 电流 - 平均整流 (Io) | 8A |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 610 mV @ 8 A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
反向恢复时间 (trr) | - | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 600 μA @ 60 V |
不同?Vr、F 时电容 | 502pF @ 5V,1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-277,3-PowerDFN | 供应商器件封装 | TO-277B |
工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
【Murata】DST9HB32E101Q55B,EMI/RFI 抑制器及铁氧体 100pF 250volt Disc Type EMIFIL
【Murata】DST9HB32E220Q55B,EMI/RFI 抑制器及铁氧体 22pF 250volt Disc Type EMIFIL
【Murata】DST9HB32E222Q50B,EMI/RFI 抑制器及铁氧体 2200pF 20% 250Volts
【Murata】DST9HB32E222Q55B,EMI/RFI 抑制器及铁氧体 2200pF 250volt Disc Type EMIFIL
【Murata】DST9HB32E222Q91J,EMI/RFI 抑制器及铁氧体 2200pF 250volt Disc Type EMIFIL
【Murata】DST9HB32E222Q92A,EMI/RFI 抑制器及铁氧体 2200pF 20% 250Volts