您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 > dta114eet1g
  • DTA114EET1G

DTA114EET1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.0278
  • 6000$0.02507
  • 15000$0.0218
  • 30000$0.01962
  • 75000$0.01744
描述TRANS PNP 50V 10/10K SC75-3电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧)10k在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)35 @ 5mA,10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 300?A,10mA电流 - 集电极截止(最大)500nA
频率 - 转换-功率 - 最大200mW
安装类型表面贴装封装/外壳SC-75,SOT-416
供应商设备封装SC-75,SOT-416包装带卷 (TR)
其它名称DTA114EET1G-NDDTA114EET1GOSTR

dta114eet1g的相关型号: