| 描述 | PNP, SOT-416, R1=R2 POTENTIAL DI | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 + 二极管 |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100 mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50 V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms |
| 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V | 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 250μA，5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA（ICBO） | 频率 - 跃迁 | 250 MHz |
| 功率 - 最大值 | 150 mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 | 供应商器件封装 | EMT3 |
