您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 > dtc114em3t5g
  • DTC114EM3T5G

DTC114EM3T5G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 8000$0.072
  • 16000$0.064
  • 24000$0.06
  • 56000$0.0532
  • 200000$0.05
描述TRANS NPN 50V 10/10K SOT-723-3电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧)10k在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)35 @ 5mA,10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 1mA,10mA电流 - 集电极截止(最大)500nA
频率 - 转换-功率 - 最大260mW
安装类型表面贴装封装/外壳SOT-723
供应商设备封装SOT-723包装带卷 (TR)
其它名称DTC114EM3T5G-NDDTC114EM3T5GOSTR

“DTC114EM3T5G”技术资料

  • DTC114EM3T5G的技术参数

    产品型号:dtc114em3t5g类型:npn集电极-发射极电压(v):50集电极电流(max)(ma):100直流电流增益(min)(db):35r1(ω):10kr2(ω):10k芯片上标识:8a封装/温度(℃):sot-723/-55~150价格/1片(套):¥.40 来源:零八我的爱 ...

dtc114em3t5g的相关型号: