您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 > dtc123jet1g
  • DTC123JET1G

DTC123JET1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.0278
  • 6000$0.02507
  • 15000$0.0218
  • 30000$0.01962
  • 75000$0.01744
描述TRANS NPN 50V 2.2/47K SC75-3电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V电阻器 - 基极 (R1)(欧)2.2k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 5mA,10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 300?A,10mA电流 - 集电极截止(最大)500nA
频率 - 转换-功率 - 最大200mW
安装类型表面贴装封装/外壳SC-75,SOT-416
供应商设备封装SC-75包装带卷 (TR)
其它名称DTC123JET1G-NDDTC123JET1GOSTR

“DTC123JET1G”技术资料

  • DTC123JET1G的技术参数

    产品型号:dtc123jet1g类型:pnp集电极-发射极电压(v):50集电极电流(max)(ma):100直流电流增益(min)(db):80r1(ω):100r2(ω):100芯片上标识:6m封装/温度(℃):3sc75/-55~150价格/1片(套):¥.25 来源:零八我的爱 ...

dtc123jet1g的相关型号: