| 描述 | TRANS PREBIASED NPN 200MW SOT-23 | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA | 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 22k | 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | 22k |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 56 @ 5mA，5V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 300mV @ 500?A，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA | 频率 - 转换 | 250MHz |
| 功率 - 最大 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商设备封装 | SOT-23 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【ROHM Semiconductor】DTC124EEBTL,TRANS DIGITAL NPN 50V 100MA EMT3
【ON Semiconductor】DTC124EET1,Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V BRT NPN
【ON Semiconductor】DTC124EET1G,TRAN NPN 50V 100MA 22/22K SC75-3
【ROHM Semiconductor】DTC124EETL,TRANS DIGITAL NPN 50V 100MA EMT3
【ROHM Semiconductor】DTC124EKAT146,TRAN DIGIT NPN 50V 100MA SOT-346