| 描述 | SS Low Sat Transistor PowerDI506 | 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 3A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 100V |
| 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值） | 325mV @ 200mA，2A | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA |
| 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 170 @ 500mA，10V | 功率 - 最大值 | 1.76W |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | PowerDI5060-8（UXD 类） |
