| 描述 | DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 12V, | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N 沟道（双）共漏 | FET 功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 33A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.65 毫欧 @ 5A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 42nC @ 3.8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - |
| 功率 - 最大值 | 3.1W（Ta） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 10-SMD，无引线 |
| 供应商器件封装 | 10-WLCSP（2.98x1.49） |
