| 描述 | MOSFET 2N-CH EFCP1818 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N 沟道（双）共漏 | FET 功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss） | - | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | - | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 25.4nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - |
| 功率 - 最大值 | 1.6W | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 4-XFBGA，FCBGA |
| 供应商器件封装 | EFCP1818-4CC-037 |
