| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V .1A EMT6 | 系列 | - |
|---|---|---|---|
| FET 型 | N 和 P 沟道 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V，20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 100mA，200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 8 欧姆 @ 10mA，4V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | - |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 0.9nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 13pF @ 5V |
| 功率 - 最大 | 150mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 | 供应商设备封装 | EMT6 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | EM6M1T2RTR |
