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  • EMD4DXV6T1

EMD4DXV6T1

描述Transistors Switching (Resistor Biased) Dual Complementary典型电阻器比率1 at NPN, 0.21 at PNP
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-553-5
集电极—发射极最大电压 VCEO50 V集电极连续电流0.1 A
峰值直流集电极电流100 mA功率耗散357 mW
最大工作温度+ 150 C封装Reel
最小工作温度- 55 C

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