| 描述 | TRANS BRT NPN DUAL BIAS SOT-553 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 47k |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | 47k | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 80 @ 5mA，10V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 250mV @ 300?A，10mA | 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 频率 - 转换 | - | 功率 - 最大 | 230mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SOT-553 |
| 供应商设备封装 | SOT-553 | 包装 | 带卷 (TR) |
【ON Semiconductor】EMG2DXV5T1G,TRANS BRT NPN DUAL BIAS SOT-553
【ON Semiconductor】EMG2DXV5T5,TRANS BRT NPN DUAL BIAS SOT-553
【ON Semiconductor】EMG2DXV5T5G,TRANS BRT NPN DUAL BIAS SOT-553
【ON Semiconductor】EMG5DXV5T1,Transistors Switching (Resistor Biased) 50V Dual BRT NPN
【ON Semiconductor】EMG5DXV5T1G,Transistors Switching (Resistor Biased) 50V Dual BRT NPN