描述 | IC EMI FILTR/ESD PROT 16FLIPCHIP | 类型 | 低通 |
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技术 | RC(Pi) | 通道数 | 8 |
中心 / 截止频率 | - | 衰减值 | 33dB @ 900MHz |
电阻 - 通道 (Ohms) | 100 | 电流 | 10mA |
值 | R = 100 欧姆,C = 16pF(总计) | ESD 保护 | 是 |
滤波器阶数 | 2nd | 应用 | 移动设备的数据线路 |
封装/外壳 | 20-WFBGA,FCBGA | 尺寸/尺寸 | 0.154" L x 0.051" W(3.92mm x 1.29mm) |
高度 | 0.028"(0.72mm) | 包装 | 带卷 (TR) |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
对于高速接口像lcd或cmos传感器,滤波器的寄生电容对视频信号完整性的影响很大,所以电容值必须降到最低限度,几十个兆赫兹的频率,电容必须小于20pf。 这又带来了新的问题,因为滤波器的滤波性能会因为本身电容变小而降低。 因为最近的半导体设计,现在市场上出现了超低电容emi滤波器结构,以及超高衰减量、宽带抑制和符合iec61000-4-2第4级的esd保护功能。意法半导体是市场上率先推出电容超低、抑制带宽极大并符合iec61000-4-2第4级安全标准的滤波器结构,emif08-vid01f2在800mhz到3ghz频带内可以实现30db以上的衰减抑制,同时在3v工作电压时其线电容只有17pf。 要想取得最佳的滤波性能,除考虑硅产品本身的特性外,还要考虑组件的封装和布局,这就是大多数基于硅的emi滤波器采用400um管脚间距的倒装片封装或microqfn封装的原因。微型封装的主要优势之处是寄生电感影响小,从而最大限度地提高了高频下的衰减特性;其次微型封装尺寸小,有助产品的微型化趋势。 400um管脚间距还可简化和最小化滤波器与i/o连接端子之间的布局连接,因此 ...
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