描述 | TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE | FET 型 | GaNFET N 通道,氮化镓 |
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FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 150V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3A | 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 100 毫欧 @ 5A,5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.5V @ 1mA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 1.7nC @ 5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 110pF @ 75V | 功率 - 最大 | - |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 4-LGA |
供应商设备封装 | 4-LGA(1.7x0.9) | 包装 | Digi-Reel? |
其它名称 | 917-1007-6 |