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  • EPC1013

EPC1013

  • 制造商:-
  • 产品培训模块:eGaN? BasicseGaN? Power Transistors CharacteristicsDrivng eGaN? Power TransistorseGaN FETs for DC-DC Conversion
  • 标准包装:1
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:eGaN?

参考价格

  • 数量单价
  • 1$3.3
  • 10$2.97
  • 100$2.42
  • 250$2.2
产品属性
描述TRANS GAN150V 3A BUMPED DIEFET 型GaNFET N 通道,氮化镓
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 5A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs1.7nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds110pF @ 75V功率 - 最大-
安装类型表面贴装封装/外壳4-LGA
供应商设备封装4-LGA(1.7x0.9)包装Digi-Reel?
其它名称917-1007-6

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