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EPC2021ENGR

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:eGaN?
  • 包装:剪切带(CT)
  • 产品状态:停产
产品属性
描述TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIEFET 类型N 通道
技术GaNFET(氮化镓)漏源电压(Vdss)80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)60A(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.5 毫欧 @ 29A,5V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 14mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)15 nC @ 5 VVgs(最大值)+6V,-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1700 pF @ 40 VFET 功能-
功率耗散(最大值)-工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装模具
封装/外壳模具

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