| 描述 | GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID | 技术 | GaNFET（氮化镓） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 个 N 通道（半桥） | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Ta），40A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 4.9nC @ 15V，19nC @ 15V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 475pF @ 15V，1960pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | - | 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 模具 |
| 供应商器件封装 | 模具 |
